(0)
Изображение служит лишь для справки
APTGT75A60T1G
-
Microsemi Corporation
-
Транзисторы - Модули IGBT
- SP1
- IGBT MODULE 600V 100A 250W SP1
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла：IN PRODUCTION (Last Updated: 3 weeks ago)
- Срок поставки от производителя：36 Weeks
- Монтаж：Chassis Mount, Screw
- Вид крепления：Chassis Mount
- Корпус / Кейс：SP1
- Количество контактов：12
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Диэлектрический пробой напряжение：600V
- Количество элементов：2
- Время отключения：200 ns
- Рабочая температура：-40°C~175°C TJ
- Опубликовано：2007
- Код JESD-609：e1
- Безоловая кодировка：yes
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：12
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：TIN SILVER COPPER
- Максимальная потеря мощности：250W
- Положение терминала：UPPER
- Форма вывода：THROUGH-HOLE
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
- Число контактов：12
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：Half Bridge
- Конфигурация элемента：Dual
- Сокетная связка：ISOLATED
- Время задержки включения：110 ns
- Мощность - Макс：250W
- Применение транзистора：MOTOR CONTROL
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Ввод：Standard
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：600V
- Максимальный ток сбора：100A
- Ток - отсечка коллектора (макс)：250μA
- Входной ёмкости：4.62nF
- Время включения：170 ns
- Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic：1.9V @ 15V, 75A
- Время выключения (toff)：310 ns
- Тип ИGBT：Trench Field Stop
- Термистор с изменяемым сопротивлением：Yes
- Напряжение затвор-эмиттер (макс.)：20V
- Входная ёмкость (Cies) @ Vce：4.62nF @ 25V
- Максимальное напряжение на выходе：1.9 V
- Высота：11.5mm
- Длина：51.6mm
- Ширина：40.8mm
- Состояние RoHS：RoHS Compliant
- Без свинца：Lead Free
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
