Изображение служит лишь для справки
IPI100N08N3GXKSA1
- Infineon
- Неклассифицированные
- -
- MOSFET
- Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж:NO
- Количество терминалов:3
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Описание пакета:IN-LINE, R-PSIP-T3
- Форма упаковки:IN-LINE
- Уровни чувствительности к влажности:1
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Максимальная температура рефлоу:40
- Температура работы-Макс:175 °C
- Артикул Производителя:IPI100N08N3GXKSA1
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Производитель:Infineon Technologies AG
- Количество элементов:1
- Код цикла жизни компонента:Obsolete
- Производитель IHS:INFINEON TECHNOLOGIES AG
- Ранг риска:5.84
- Код упаковки компонента:TO-262AA
- Максимальный ток утечки (ID):70 A
- Код JESD-609:e3
- Безоловая кодировка:Yes
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:MATTE TIN
- Положение терминала:SINGLE
- Форма вывода:THROUGH-HOLE
- Температура пайки (пиковая) (°C):260
- Код соответствия REACH:unknown
- Число контактов:3
- Код JESD-30:R-PSIP-T3
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Применение транзистора:SWITCHING
- Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
- Код JEDEC-95:TO-262AA
- Сопротивление открытого канала-макс:0.01 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода:280 A
- Минимальная напряжённость разрушения:80 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas):90 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Со склада 0
Итого $0.00000