Изображение служит лишь для справки
IRF3704ZCSTRLPBF
- Infineon
- Неклассифицированные
- -
- LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3
- Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж:YES
- Количество терминалов:2
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Производитель:Infineon Technologies AG
- Количество элементов:1
- Код цикла жизни компонента:Active
- Производитель IHS:INFINEON TECHNOLOGIES AG
- Ранг риска:5.15
- Максимальный ток утечки (ID):42 A
- Артикул Производителя:IRF3704ZCSTRLPBF
- Рохс Код:Yes
- Температура работы-Макс:175 °C
- Максимальная температура рефлоу:30
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Уровни чувствительности к влажности:1
- Форма упаковки:SMALL OUTLINE
- Описание пакета:LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3
- Код JESD-609:e3
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:MATTE TIN OVER NICKEL
- Подкатегория:FET General Purpose Power
- Положение терминала:SINGLE
- Форма вывода:GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C):260
- Код соответствия REACH:compliant
- Код JESD-30:R-PSSO-G2
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка:DRAIN
- Применение транзистора:SWITCHING
- Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
- Максимальный сливовой ток (ID):67 A
- Сопротивление открытого канала-макс:0.0079 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода:260 A
- Минимальная напряжённость разрушения:20 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas):36 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.):57 W
Со склада 0
Итого $0.00000