(0)
Изображение служит лишь для справки
K7Z167285AHC25
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество терминалов：209
- Описание пакета：BGA, BGA209,11X19,40
- Форма упаковки：GRID ARRAY
- Количество кодовых слов：256000
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Код эквивалентности пакета：BGA209,11X19,40
- Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
- Время доступа-максимум：3 ns
- Температура работы-Макс：70 °C
- Рохс Код：No
- Артикул Производителя：K7Z167285A-HC25
- Частота часовного генератора макс. (fCLK)：250 MHz
- Количество слов：262144 words
- Номинальное напряжение питания (Вн)：1.8 V
- Код пакета：BGA
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Производитель：Samsung Semiconductor
- Код цикла жизни компонента：Obsolete
- Производитель IHS：SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
- Ранг риска：5.92
- Код упаковки компонента：BGA
- Код JESD-609：e0
- Код ECCN：3A991.B.2.A
- Конечная обработка контакта：Tin/Lead (Sn/Pb)
- Дополнительная Характеристика：PIPELINED ARCHITECTURE
- Код ТН ВЭД：8542.32.00.41
- Подкатегория：SRAMs
- Технология：CMOS
- Положение терминала：BOTTOM
- Форма вывода：BALL
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Количество функций：1
- Шаг выводов：1 mm
- Код соответствия REACH：compliant
- Число контактов：209
- Код JESD-30：R-PBGA-B209
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Напряжение питания максимальное (Vпит)：1.95 V
- Блоки питания：1.8 V
- Градация температуры：COMMERCIAL
- Напряжение питания минимальное (Vпит)：1.7 V
- Режим работы：SYNCHRONOUS
- Организация：256KX72
- Характеристики выдачи：3-STATE
- Максимальная высота посадки：2.2 mm
- Ширина памяти：72
- Плотность памяти：18874368 bit
- Параллельный/Серийный：PARALLEL
- Тип ввода/вывода：COMMON
- Тип микросхемы памяти：LATE-WRITE SRAM
- Минимальная напряжение спящего режима：1.7 V
- Ширина：14 mm
- Длина：22 mm
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
