LMN200B02-7

Name: Diodes Incorporated LMN200B02-7
Brand: Diodes Incorporated
Rating: 4.7 (16 reviews)

Lagernummer 288

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：19 Weeks
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Количество контактов：6
Вес：6.010099mg
Количество элементов：1
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Опубликовано：2009
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：6
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn)
Максимальная рабочая температура：150°C
Минимальная температура работы：-55°C
Применение：Load Switch
Дополнительная Характеристика：BUILT IN BIAS RESISTOR
Ток постоянного напряжения - номинальный：-50V
Максимальная токовая нагрузка (Амперы)：200mA PNP 115mA N-Channel
Максимальная потеря мощности：200mW
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Моментальный ток：115mA
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：40
Основной номер части：LMN200
Число контактов：6
Направленность：PNP
Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN BIPOLAR TRANSISTOR AND RESISTOR
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Применение транзистора：SWITCHING
Тип транзистора：PNP Pre-Biased, N-Channel Pre-Biased
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：50V
Максимальный ток сбора：200mA
Максимальная частота：200MHz
Максимальный сливовой ток (ID)：0.115A
Сопротивление открытого канала-макс：2Ohm
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：-50V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)：-5V
Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE)：60
Максимальное напряжение на выходе：0.3 V
Обратная ёмкость-Макс (Crss)：5 pF
Высота：1mm
Длина：2.2mm
Ширина：1.35mm
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 288

Итого $0.00000