
Изображение служит лишь для справки






NUS5531MTR2G
-
ON Semiconductor
-
Транзисторы - Специального назначения
- 8-WDFN Exposed Pad
- MOSFET/BJT SGL P-CH 12V 8-WDFN
Date Sheet
Lagernummer 27000
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла:OBSOLETE (Last Updated: 1 week ago)
- Монтаж:Surface Mount
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:8-WDFN Exposed Pad
- Количество контактов:8
- Количество элементов:1
- Время отключения:80 ns
- Номинальное напряжение:20V PNP 12V P-Channel
- Пакетирование:Tape & Reel (TR)
- Опубликовано:2008
- Код JESD-609:e3
- Безоловая кодировка:yes
- Состояние изделия:Obsolete
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:8
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:Tin (Sn)
- Максимальная рабочая температура:150°C
- Минимальная температура работы:-55°C
- Применение:General Purpose
- Максимальная токовая нагрузка (Амперы):2A PNP 5.47A P-Channel
- Положение терминала:DUAL
- Моментальный ток:5.47A
- Число контактов:8
- Конфигурация элемента:Single
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Распад мощности:1.46W
- Сокетная связка:DRAIN
- Время задержки включения:8 ns
- Применение транзистора:SWITCHING
- Время подъема:17.5ns
- Время падения (тип):17.5 ns
- Тип транзистора:PNP, P-Channel
- Непрерывный ток стока (ID):5.47A
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs):8V
- Максимальный сливовой ток (ID):4.4A
- Напряжение пробоя стока к истоку:12V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальный ток коллектора (IC):2A
- Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE):150
- Сопротивление стока к истоку:32mOhm
- Корпусировка на излучение:No
- Состояние RoHS:RoHS Compliant
- Без свинца:Lead Free
Со склада 27000
Итого $0.00000