Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные NE25139T1U73
Изображение служит лишь для справки
NE25139T1U73
-
NEC
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- Fet 900 Mhz SOT-143
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество терминалов：4
- Материал элемента транзистора：GALLIUM ARSENIDE
- Номинальное напряжение (постоянное)：5 V
- Описание пакета：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
- Форма упаковки：SMALL OUTLINE
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Температура работы-Макс：125 °C
- Артикул Производителя：NE25139T1U73
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Производитель：California Eastern Laboratories (CEL)
- Количество элементов：1
- Код цикла жизни компонента：Obsolete
- Производитель IHS：CALIFORNIA EASTERN LABORATORIES
- Ранг риска：5.82
- Максимальный ток утечки (ID)：0.035 A
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Код ECCN：EAR99
- Дополнительная Характеристика：LOW NOISE
- Код ТН ВЭД：8541.21.00.75
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：GULL WING
- Код соответствия REACH：unknown
- Моментальный ток：10 mA
- Код JESD-30：R-PDSO-G4
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SINGLE
- Режим работы：DUAL GATE, DEPLETION MODE
- Сокетная связка：SOURCE
- Применение транзистора：AMPLIFIER
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Минимальная напряжённость разрушения：13 V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL SEMICONDUCTOR
- Обратная ёмкость-Макс (Crss)：0.03 pF
- Частотная полоса наивысшего режима：ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
- Уголок мощности-минимум (Гп)：16 dB
- Без свинца：Contains Lead
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты