
Изображение служит лишь для справки






MT3S111(TE85L,F)
-
Toshiba Semiconductor and Storage
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - РЧ
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Trans GP BJT NPN 6V 0.1A 3-Pin S-Mini T/R
Date Sheet
Lagernummer 7233
- 1+: $0.39906
- 10+: $0.37647
- 100+: $0.35516
- 500+: $0.33506
- 1000+: $0.31609
Zwischensummenbetrag $0.39906
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:12 Weeks
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Поверхностный монтаж:YES
- Максимальный коллекторный ток (Ic):100mA
- Рабочая температура:150°C TJ
- Пакетирование:Tape & Reel (TR)
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Код ECCN:EAR99
- Конфигурация:Single
- Мощность - Макс:700mW
- Полярность/Тип канала:NPN
- Тип транзистора:NPN
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce:200 @ 30mA 5V
- Увеличение:12dB
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.):6V
- Частота перехода:9000MHz
- Частота - Переход:11.5GHz
- Максимальная потеря мощности (абс.):0.7W
- Шумовая фигура (дБ тип @ ф):1.2dB @ 1GHz
- Состояние RoHS:RoHS Compliant
Со склада 7233
- 1+: $0.39906
- 10+: $0.37647
- 100+: $0.35516
- 500+: $0.33506
- 1000+: $0.31609
Итого $0.39906