Изображение служит лишь для справки
BFP420H6327XTSA1
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Infineon Technologies
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Транзисторы - Биполярные (BJT) - РЧ
- SC-82A, SOT-343
- Trans GP BJT NPN 4.5V 0.035A 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R
Date Sheet
Lagernummer 28552
- 1+： $0.33154
- 10+： $0.31278
- 100+： $0.29507
- 500+： $0.27837
- 1000+： $0.26261
Zwischensummenbetrag $0.33154
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Factory Lead Time：6 Weeks
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：SC-82A, SOT-343
- Number of Pins：3
- Transistor Element Material：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：5V
- Current-Collector (Ic) (Max)：35mA
- Number of Elements：1
- hFEMin：60
- Operating Temperature：150°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Published：2003
- JESD-609 Code：e3
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：4
- Termination：SMD/SMT
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Matte Tin (Sn)
- Max Power Dissipation：160mW
- Terminal Position：DUAL
- Terminal Form：GULL WING
- Frequency：25GHz
- Base Part Number：BFP420
- JESD-30 Code：R-PDSO-G4
- Configuration：SINGLE
- Test Frequency：1.8GHz
- Power Dissipation：210mW
- Transistor Application：AMPLIFIER
- Halogen Free：Halogen Free
- Polarity/Channel Type：NPN
- Transistor Type：NPN
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：15V
- Max Collector Current：60mA
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：60 @ 20mA 4V
- Gain：21dB
- Transition Frequency：25000MHz
- Max Breakdown Voltage：5V
- Collector Base Voltage (VCBO)：15V
- Emitter Base Voltage (VEBO)：1.5V
- Max Junction Temperature (Tj)：150°C
- Noise Figure (dB Typ @ f)：1.1dB @ 1.8GHz
- Height：1mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
Со склада 28552
- 1+： $0.33154
- 10+： $0.31278
- 100+： $0.29507
- 500+： $0.27837
- 1000+： $0.26261
Итого $0.33154
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