(0)
Изображение служит лишь для справки
BLT81,115
-
NXP USA Inc.
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - РЧ
- TO-261-4, TO-261AA
- NXP BLT81.115Bipolar - RF Transistor, NPN, 9.5 V, 900 MHz, 2 W, 500 mA, 25
Date Sheet
Lagernummer 459
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：16 Weeks
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：TO-261-4, TO-261AA
- Поверхностный монтаж：YES
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Максимальный коллекторный ток (Ic)：500mA
- Количество элементов：1
- Рабочая температура：175°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Опубликовано：1998
- Код JESD-609：e3
- Состояние изделия：Not For New Designs
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：4
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
- Дополнительная Характеристика：HIGH RELIABILITY
- Код ТН ВЭД：8541.29.00.75
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C)：260
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
- Основной номер части：BLT81
- Число контактов：4
- Код JESD-30：R-PDSO-G4
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SINGLE
- Сокетная связка：COLLECTOR
- Мощность - Макс：2W
- Применение транзистора：AMPLIFIER
- Полярность/Тип канала：NPN
- Тип транзистора：NPN
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：25 @ 300mA 5V
- Увеличение：8dB
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：9.5V
- Частота - Переход：900MHz
- Максимальная потеря мощности (абс.)：2W
- Частотная полоса наивысшего режима：ULTRA HIGH FREQUENCY B
- Сопротивление базы-эмиттора макс：4pF
- Максимальная мощность dissipation окружающей среды：2W
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 459
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
