(0)
Изображение служит лишь для справки
MT3S111TU,LF
-
Toshiba Semiconductor and Storage
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - РЧ
- 3-SMD, Flat Lead
- RF SIGE NPN BIPOLAR TRANSISTOR N
Date Sheet
Lagernummer 6644
- 1+： $0.42513
- 10+： $0.40107
- 100+： $0.37837
- 500+： $0.35695
- 1000+： $0.33675
Zwischensummenbetrag $0.42513
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：12 Weeks
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：3-SMD, Flat Lead
- Максимальный коллекторный ток (Ic)：100mA
- Рабочая температура：150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
- Мощность - Макс：800mW
- Тип транзистора：NPN
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：200 @ 30mA 5V
- Увеличение：12.5dB
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：6V
- Частота - Переход：10GHz
- Шумовая фигура (дБ тип @ ф)：0.6dB ~ 0.85dB @ 500MHz ~ 1GHz
- Состояние RoHS：RoHS Compliant
Со склада 6644
- 1+： $0.42513
- 10+： $0.40107
- 100+： $0.37837
- 500+： $0.35695
- 1000+： $0.33675
Итого $0.42513
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
