(0)
Изображение служит лишь для справки
2SC5095-R(TE85L,F)
-
Toshiba Semiconductor and Storage
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - РЧ
- SC-70, SOT-323
- Trans Gp Bjt NPN 10V 0.015A 3-PIN Usm T/r
Date Sheet
Lagernummer 4287
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：16 Weeks
- Покрытие контактов：Copper, Silver, Tin
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：SC-70, SOT-323
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Диэлектрический пробой напряжение：10V
- Количество элементов：1
- Минимальная частота работы в герцах：50
- Рабочая температура：125°C TJ
- Пакетирование：Cut Tape (CT)
- Опубликовано：2009
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：3
- Код ECCN：EAR99
- Дополнительная Характеристика：LOW NOISE
- Код ТН ВЭД：8541.21.00.75
- Максимальная потеря мощности：100mW
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：GULL WING
- Код соответствия REACH：unknown
- Число контактов：3
- Код JESD-30：R-PDSO-G3
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация элемента：Single
- Мощность - Макс：100mW
- Применение транзистора：AMPLIFIER
- Продуктивность полосы частот：10 GHz
- Полярность/Тип канала：NPN
- Тип транзистора：NPN
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：10V
- Максимальный ток сбора：15mA
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：50 @ 7mA 6V
- Увеличение：13dB ~ 7.5dB
- Частота перехода：10000MHz
- Максимальное напряжение разрушения：10V
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：20V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO)：1.5V
- Частотная полоса наивысшего режима：ULTRA HIGH FREQUENCY B
- Сопротивление базы-эмиттора макс：0.85pF
- Шумовая фигура (дБ тип @ ф)：1.8dB @ 2GHz
- Состояние RoHS：RoHS Compliant
Со склада 4287
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
