(0)
Изображение служит лишь для справки
BLP10H610Z
-
Ampleon USA Inc.
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - РЧ
- 12-VDFN Exposed Pad
- RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN
Date Sheet
Lagernummer 28134
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：13 Weeks
- Корпус / Кейс：12-VDFN Exposed Pad
- Поверхностный монтаж：YES
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Количество элементов：2
- Рабочая температура (макс.)：150°C
- Номинальное напряжение：104V
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Опубликовано：2011
- Состояние изделия：Not For New Designs
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：3 (168 Hours)
- Количество выводов：12
- Код ECCN：EAR99
- Форма вывода：NO LEAD
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH：unknown
- Частота：860MHz
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
- Нормативная Марка：IEC-60134
- Код JESD-30：R-PDSO-N12
- Конфигурация：COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Ток - испытание：60mA
- Применение транзистора：AMPLIFIER
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Тип транзистора：LDMOS (Dual), Common Source
- Код JEDEC-95：MO-229
- Увеличение：22dB
- Минимальная напряжённость разрушения：104V
- Выводная мощность：10W
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Напряжение - испытание：50V
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 28134
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
