Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - РЧ BLF8G10LS-160,112
Изображение служит лишь для справки
BLF8G10LS-160,112
-
Ampleon USA Inc.
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - РЧ
- SOT-502B
- RF FET LDMOS 65V 19.7DB SOT502B
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Factory Lead Time：13 Weeks
- Package / Case：SOT-502B
- Surface Mount：YES
- Transistor Element Material：SILICON
- Number of Elements：1
- Voltage Rated：65V
- Packaging：Tray
- Published：2010
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：2
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Position：DUAL
- Terminal Form：FLAT
- Peak Reflow Temperature (Cel)：NOT SPECIFIED
- Reach Compliance Code：unknown
- Frequency：920MHz~960MHz
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：NOT SPECIFIED
- Base Part Number：BLF8G10
- Reference Standard：IEC-60134
- JESD-30 Code：R-CDFP-F2
- Configuration：SINGLE
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Case Connection：SOURCE
- Current - Test：1.1A
- Transistor Application：AMPLIFIER
- Polarity/Channel Type：N-CHANNEL
- Transistor Type：LDMOS
- Gain：19.7dB
- DS Breakdown Voltage-Min：65V
- Power - Output：35W
- FET Technology：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Voltage - Test：30V
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты