Изображение служит лишь для справки
PD57018S-E
-
STMicroelectronics
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - РЧ
- PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
- Trans RF MOSFET N-CH 65V 2.5A 3-Pin PowerSO-10RF (Straight lead) Tube
Date Sheet
Lagernummer 417
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Factory Lead Time：25 Weeks
- Mount：Surface Mount
- Package / Case：PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
- Number of Pins：3
- Number of Elements：1
- Packaging：Tube
- JESD-609 Code：e3
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：3 (168 Hours)
- Number of Terminations：2
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：MATTE TIN
- Max Operating Temperature：165°C
- Min Operating Temperature：-65°C
- Additional Feature：HIGH RELIABILITY
- Voltage - Rated DC：65V
- Max Power Dissipation：31.7W
- Terminal Position：DUAL
- Terminal Form：FLAT
- Peak Reflow Temperature (Cel)：250
- Current Rating：2.5A
- Frequency：945MHz
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：30
- Base Part Number：PD57018
- Pin Count：10
- JESD-30 Code：R-PDSO-F2
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：31.7W
- Case Connection：SOURCE
- Current - Test：100mA
- Transistor Application：AMPLIFIER
- Polarity/Channel Type：N-CHANNEL
- Transistor Type：LDMOS
- Continuous Drain Current (ID)：2.5A
- Gate to Source Voltage (Vgs)：20V
- Gain：16.5dB
- Max Output Power：18W
- Drain to Source Breakdown Voltage：65V
- FET Technology：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Drain to Source Resistance：760mOhm
- Voltage - Test：28V
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
Со склада 417
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты