Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные PSMN4R3-100ES，127
Изображение служит лишь для справки
PSMN4R3-100ES，127
-
NXP
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
- TRANSISTOR >30MHZ
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Through Hole
- Корпус / Кейс：TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
- Поставщик упаковки устройства：I2PAK
- Пакет：Tube
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：120A (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4.5V, 10V
- Mfr：NXP USA Inc.
- Максимальная мощность рассеяния：338W (Tc)
- Состояние продукта：Active
- Рабочая температура：-55°C ~ 175°C (TJ)
- Серия：-
- Технология：MOSFET (Metal Oxide)
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：4.3mOhm @ 25A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 1mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：9900 pF @ 50 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：170 nC @ 10 V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：100 V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Характеристика ТРП：-
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты