BFP620H7764XTSA1

Name: Infineon Technologies BFP620H7764XTSA1
Brand: Infineon Technologies
Price: 0.3410118 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (15 reviews)

Lagernummer 10520

1+： $0.34101
10+： $0.32171
100+： $0.30350
500+： $0.28632
1000+： $0.27011

Zwischensummenbetrag $0.34101

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：4 Weeks
Корпус / Кейс：SC-82A, SOT-343
Вид крепления：Surface Mount
Монтаж：Surface Mount
Покрытие контактов：Tin
Количество контактов：4
Материал элемента транзистора：SILICON GERMANIUM CARBON
Количество элементов：1
Диэлектрический пробой напряжение：2.8V
Опубликовано：2005
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Рабочая температура：150°C TJ
Код JESD-609：e3
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：4
Код ECCN：EAR99
Дополнительная Характеристика：LOW NOISE
Мощность рейтинга：1W
Максимальная потеря мощности：185mW
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
Частота：65GHz
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
Основной номер части：BFP620
Конфигурация：SINGLE
Распад мощности：185mW
Применение транзистора：AMPLIFIER
Без галогенов：Halogen Free
Полярность/Тип канала：NPN
Тип транзистора：NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：2.3V
Максимальный ток сбора：80mA
Максимальное повторное обратное напряжение (Вррм)：15V
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：110 @ 50mA 1.5V
Увеличение：21.5dB
Частота перехода：65000MHz
Текущий ток：100mA
Максимальное напряжение разрушения：2.8V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：7.5V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)：1.2V
Сопротивление базы-эмиттора макс：0.2pF
Шумовая фигура (дБ тип @ ф)：0.7dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 10520

1+： $0.34101
10+： $0.32171
100+： $0.30350
500+： $0.28632
1000+： $0.27011

Итого $0.34101