Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные SSM6K819R，LF
Изображение служит лишь для справки
SSM6K819R，LF
-
Toshiba
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 6-SMD, Flat Leads
- N-CH MOSFET, 100 V, 10 A, 0.0258
Date Sheet
Lagernummer 10722
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：6-SMD, Flat Leads
- Поставщик упаковки устройства：6-TSOP-F
- Пакет：Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);Digi-Reel®;
- Основной номер продукта：SSM6K819
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：10A (Ta)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4.5V, 10V
- Mfr：Toshiba Semiconductor and Storage
- Максимальная мощность рассеяния：1.5W (Ta)
- Состояние продукта：Active
- Рабочая температура：175°C
- Серия：Automotive, AEC-Q101
- Технология：MOSFET (Metal Oxide)
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：25.8mOhm @ 4A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：2.5V @ 100µA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：1110 pF @ 15 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：8.5 nC @ 4.5 V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：100 V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Характеристика ТРП：-
Со склада 10722
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты