Изображение служит лишь для справки
![](/_nuxt/img/icon1.a69e55e.png)
![](/_nuxt/img/icon2.6564a3d.png)
![](/_nuxt/img/icon3.dfeeaa2.png)
![](/_nuxt/img/icon4.c64d914.png)
![](/_nuxt/img/icon5.db8ede5.png)
![](/_nuxt/img/icon6.f17f115.png)
NE85633-T1B-R25-A
-
Renesas
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - РЧ
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- SAME AS 2SC3356 NPN SILICON AMPL
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Поставщик упаковки устройства:3-MINIMOLD
- Пакет:Tape & Reel (TR)
- Максимальный коллекторный ток (Ic):100mA
- Mfr:Renesas
- Состояние продукта:Last Time Buy
- Рабочая температура:150°C (TJ)
- Серия:-
- Мощность - Макс:200mW
- Тип транзистора:NPN
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce:50 @ 20mA, 10V
- Увеличение:11.5dB
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.):12V
- Частота - Переход:7GHz
- Шумовая фигура (дБ тип @ ф):1.1dB @ 1GHz
Со склада 0
Итого $0.00000