MBT3904DW1T3G

Name: ON Semiconductor MBT3904DW1T3G
Brand: ON Semiconductor
Rating: 4.6 (11 reviews)

ON Semiconductor
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
ON SEMICONDUCTOR - MBT3904DW1T3G - BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 40V, FULL REEL
Date Sheet

Lagernummer 1429

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
Срок поставки от производителя：8 Weeks
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Поверхностный монтаж：YES
Количество контактов：6
Материал элемента транзистора：SILICON
Диэлектрический пробой напряжение：40V
Количество элементов：2
Минимальная частота работы в герцах：40
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Опубликовано：2007
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：6
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
Ток постоянного напряжения - номинальный：40V
Максимальная потеря мощности：150mW
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Моментальный ток：200mA
Частота：300MHz
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：40
Основной номер части：MBT3904D
Число контактов：6
Направленность：NPN
Конфигурация элемента：Dual
Распад мощности：150mW
Применение транзистора：AMPLIFIER
Продуктивность полосы частот：300MHz
Тип транзистора：2 NPN (Dual)
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：40V
Максимальный ток сбора：200mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：100 @ 10mA 1V
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：300mV @ 5mA, 50mA
Частота перехода：300MHz
Максимальное напряжение разрушения：40V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：60V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)：6V
Время включения максимальный (тон)：70ns
Высота：1mm
Длина：2.2mm
Ширина：1.35mm
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 1429

Итого $0.00000