UMZ1NTR

Name: ROHM Semiconductor UMZ1NTR
Brand: ROHM Semiconductor
Rating: 4.7 (17 reviews)

ROHM Semiconductor
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
TRANS NPN/PNP 50V 0.15A 6UMT
Date Sheet

Lagernummer 630000

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：13 Weeks
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Количество контактов：6
Материал элемента транзистора：SILICON
Диэлектрический пробой напряжение：50V
Количество элементов：2
Минимальная частота работы в герцах：120
Рабочая температура：150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Опубликовано：2000
Код JESD-609：e2
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：6
Код ECCN：EAR99
Тип：General Purpose
Конечная обработка контакта：Tin/Copper (Sn/Cu)
Код ТН ВЭД：8541.21.00.75
Максимальная потеря мощности：150mW
Форма вывода：GULL WING
Моментальный ток：150mA
Основной номер части：*MZ1
Число контактов：6
Направленность：PNP, NPN
Конфигурация элемента：Dual
Распад мощности：150mW
Применение транзистора：AMPLIFIER
Продуктивность полосы частот：180MHz
Тип транзистора：NPN, PNP
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：50V
Максимальный ток сбора：150mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：120 @ 1mA 6V
Ток - отсечка коллектора (макс)：100nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA
Максимальная частота：100MHz
Частота перехода：180MHz
Максимальное напряжение разрушения：50V
Частота - Переход：180MHz 140MHz
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：60V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)：-6V
Прямоходящий ток коллектора：-150mA
Максимальное напряжение на выходе：0.4 V
Высота：900μm
Длина：2mm
Ширина：1.25mm
REACH SVHC：No SVHC
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 630000

Итого $0.00000