(0)
Изображение служит лишь для справки
HN1B04FE-Y,LF
-
Toshiba Semiconductor and Storage
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы
- SOT-563, SOT-666
- TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ES6
Date Sheet
Lagernummer 9578
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：12 Weeks
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：SOT-563, SOT-666
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Диэлектрический пробой напряжение：50V
- Количество элементов：2
- Рабочая температура：150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Опубликовано：2014
- Безоловая кодировка：yes
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：6
- Максимальная потеря мощности：100mW
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：FLAT
- Код JESD-30：R-PDSO-F6
- Конфигурация：SEPARATE, 2 ELEMENTS
- Мощность - Макс：100mW
- Применение транзистора：AMPLIFIER
- Полярность/Тип канала：NPN AND PNP
- Тип транзистора：NPN, PNP
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：250mV
- Максимальный ток сбора：150mA
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：120 @ 2mA 6V
- Ток - отсечка коллектора (макс)：100nA ICBO
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：250mV @ 10mA, 100mA
- Частота перехода：80MHz
- Максимальное напряжение разрушения：50V
- Частота - Переход：80MHz
- Состояние RoHS：RoHS Compliant
Со склада 9578
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
