UMT2NTR

Name: ROHM Semiconductor UMT2NTR
Brand: ROHM Semiconductor
Rating: 4.9 (8 reviews)

ROHM Semiconductor
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
TRANS 2PNP 50V 0.15A 6UMT
Date Sheet

Lagernummer 11700

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Количество контактов：6
Материал элемента транзистора：SILICON
Диэлектрический пробой напряжение：50V
Количество элементов：2
Минимальная частота работы в герцах：120
Рабочая температура：150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Опубликовано：2004
Код JESD-609：e2
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Not For New Designs
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：6
Завершение：SMD/SMT
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Tin/Copper (Sn/Cu)
Код ТН ВЭД：8541.21.00.75
Ток постоянного напряжения - номинальный：-50V
Максимальная потеря мощности：150mW
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Моментальный ток：-150mA
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：10
Основной номер части：MT2
Число контактов：6
Направленность：PNP
Конфигурация элемента：Dual
Распад мощности：150mW
Применение транзистора：AMPLIFIER
Продуктивность полосы частот：140MHz
Тип транзистора：2 PNP (Dual)
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：50V
Максимальный ток сбора：150mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：120 @ 1mA 6V
Ток - отсечка коллектора (макс)：100nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：500mV @ 5mA, 50mA
Максимальная частота：100MHz
Частота перехода：140MHz
Максимальное напряжение разрушения：50V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：60V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)：-6V
Прямоходящий ток коллектора：-150mA
Максимальное напряжение на выходе：0.5 V
Высота：900μm
Длина：2mm
Ширина：1.25mm
REACH SVHC：No SVHC
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 11700

Итого $0.00000