Каталог

Указатель продукции

0

Изображение служит лишь для справки

Lagernummer 16

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы
  • Срок поставки от производителя:12 Weeks
  • Монтаж:Through Hole
  • Вид крепления:Through Hole
  • Корпус / Кейс:12-SIP
  • Материал элемента транзистора:SILICON
  • Диэлектрический пробой напряжение:100V
  • Количество элементов:4
  • Рабочая температура:150°C TJ
  • Пакетирование:Tube
  • Опубликовано:1999
  • Безоловая кодировка:yes
  • Состояние изделия:Active
  • Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
  • Количество выводов:12
  • Код ECCN:EAR99
  • Дополнительная Характеристика:BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 0.08
  • Код ТН ВЭД:8541.29.00.95
  • Максимальная потеря мощности:5W
  • Положение терминала:SINGLE
  • Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
  • Время@Максимальная температура пайки-пик (с):NOT SPECIFIED
  • Число контактов:12
  • Код JESD-30:R-PSFM-T12
  • Квалификационный Статус:Not Qualified
  • Конфигурация:COMPLEX
  • Мощность - Макс:5W
  • Применение транзистора:SWITCHING
  • Полярность/Тип канала:NPN AND PNP
  • Тип транзистора:2 NPN, 2 PNP Darlington (H-Bridge)
  • Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO):1.5V
  • Максимальный ток сбора:5A
  • Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce:2000 @ 3A 4V
  • Ток - отсечка коллектора (макс):10μA ICBO
  • Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic:1.5V @ 6mA, 3A
  • Состояние RoHS:RoHS Compliant

Со склада 16

Итого $0.00000