(0)
Изображение служит лишь для справки
SSM2212RZ-RL
-
Analog Devices Inc.
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы
- 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- Trans GP BJT NPN 40V 0.02A 8-Pin SOIC N
Date Sheet
Lagernummer 922
- 1+： $7.26440
- 10+： $6.85321
- 100+： $6.46529
- 500+： $6.09933
- 1000+： $5.75409
Zwischensummenbetrag $7.26440
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла：PRODUCTION (Last Updated: 4 weeks ago)
- Срок поставки от производителя：8 Weeks
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- Количество контактов：8
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Диэлектрический пробой напряжение：40V
- Количество элементов：2
- Рабочая температура：-65°C~150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Код JESD-609：e3
- Безоловая кодировка：no
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：8
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn)
- Форма вывода：GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C)：260
- Частота：200MHz
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：30
- Основной номер части：SSM2212
- Число контактов：8
- Направленность：NPN
- Конфигурация элемента：Dual
- Применение транзистора：AMPLIFIER
- Тип транзистора：2 NPN (Dual) Matched Pair
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：40V
- Максимальный ток сбора：20mA
- Ток - отсечка коллектора (макс)：500pA
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：200mV @ 100μA, 1mA
- Частота перехода：200MHz
- Максимальное напряжение разрушения：40V
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：40V
- Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE)：300
- Корпусировка на излучение：No
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
- Без свинца：Contains Lead
Со склада 922
- 1+： $7.26440
- 10+： $6.85321
- 100+： $6.46529
- 500+： $6.09933
- 1000+： $5.75409
Итого $7.26440
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
