(0)
Изображение служит лишь для справки
PBSS4230PANP,115
-
Nexperia USA Inc.
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы
- 6-UDFN Exposed Pad
- NEXPERIA - PBSS4230PANP,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, PNP, 30 V, 120 MHz, 2 W, 2 A, 150 hFE
Date Sheet
Lagernummer 2075
- 1+： $0.29398
- 10+： $0.27734
- 100+： $0.26164
- 500+： $0.24683
- 1000+： $0.23286
Zwischensummenbetrag $0.29398
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：8 Weeks
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：6-UDFN Exposed Pad
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество контактов：6
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Максимальный коллекторный ток (Ic)：2A
- Количество элементов：2
- Рабочая температура：150°C TJ
- Пакетирование：Cut Tape (CT)
- Опубликовано：2012
- Код JESD-609：e3
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：6
- Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
- Максимальная потеря мощности：1.45W
- Число контактов：6
- Направленность：NPN, PNP
- Конфигурация элемента：Dual
- Сокетная связка：COLLECTOR
- Мощность - Макс：510mW
- Применение транзистора：SWITCHING
- Продуктивность полосы частот：95MHz
- Тип транзистора：NPN, PNP
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：30V
- Максимальный ток сбора：3A
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：200 @ 1A 2V
- Ток - отсечка коллектора (макс)：100nA ICBO
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：290mV @ 200mA, 2A
- Частота перехода：120MHz
- Частота - Переход：120MHz
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：30V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO)：7V
- Корпусировка на излучение：No
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 2075
- 1+： $0.29398
- 10+： $0.27734
- 100+： $0.26164
- 500+： $0.24683
- 1000+： $0.23286
Итого $0.29398
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
