
Изображение служит лишь для справки






HN1C01FE-GR,LF
-
Toshiba Semiconductor and Storage
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы
- SOT-563, SOT-666
- TRANS 2NPN 50V 0.15A ES6
Date Sheet
Lagernummer 1056
- 1+: $0.17304
- 10+: $0.16324
- 100+: $0.15400
- 500+: $0.14529
- 1000+: $0.13706
Zwischensummenbetrag $0.17304
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:12 Weeks
- Монтаж:Surface Mount
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:SOT-563, SOT-666
- Поставщик упаковки устройства:ES6
- Диэлектрический пробой напряжение:50V
- Максимальный коллекторный ток (Ic):150mA
- Рабочая температура:150°C TJ
- Пакетирование:Tape & Reel (TR)
- Опубликовано:2014
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Максимальная потеря мощности:100mW
- Мощность - Макс:100mW
- Тип транзистора:2 NPN (Dual)
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO):250mV
- Максимальный ток сбора:150mA
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce:200 @ 2mA 6V
- Ток - отсечка коллектора (макс):100nA ICBO
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic:250mV @ 10mA, 100mA
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.):50V
- Максимальное напряжение разрушения:50V
- Частота - Переход:80MHz
- Состояние RoHS:RoHS Compliant
Со склада 1056
- 1+: $0.17304
- 10+: $0.16324
- 100+: $0.15400
- 500+: $0.14529
- 1000+: $0.13706
Итого $0.17304