(0)
Изображение служит лишь для справки
SBC848BLT1G
-
ON Semiconductor
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R
Date Sheet
Lagernummer 21000
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
- Срок поставки от производителя：4 Weeks
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество контактов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Диэлектрический пробой напряжение：30V
- Количество элементов：1
- Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Серия：Automotive, AEC-Q101
- Опубликовано：2009
- Код JESD-609：e3
- Безоловая кодировка：yes
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：3
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
- Максимальная потеря мощности：300mW
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：GULL WING
- Число контактов：3
- Конфигурация элемента：Single
- Полярность/Тип канала：NPN
- Тип транзистора：NPN
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：30V
- Максимальный ток сбора：100mA
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：200 @ 2mA 5V
- Ток - отсечка коллектора (макс)：15nA ICBO
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：600mV @ 5mA, 100mA
- Максимальная частота：100MHz
- Частота перехода：100MHz
- Частота - Переход：100MHz
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：30V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO)：5V
- Высота：1.01mm
- Длина：3.04mm
- Ширина：1.4mm
- Корпусировка на излучение：No
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
- Без свинца：Lead Free
Со склада 21000
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
