(0)
Изображение служит лишь для справки
BC847CE6327HTSA1
-
Infineon Technologies
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- On a Reel of 3000, Infineon BC847CE6327HTSA1 NPN Transistor, 100 mA, 45 V, 3-Pin SOT-23
Date Sheet
Lagernummer 4898
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：4 Weeks
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Количество контактов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Диэлектрический пробой напряжение：45V
- Количество элементов：1
- Рабочая температура：150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Опубликовано：2007
- Код JESD-609：e3
- Безоловая кодировка：yes
- Состояние изделия：Last Time Buy
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：3
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
- Ток постоянного напряжения - номинальный：45V
- Максимальная потеря мощности：330mW
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：GULL WING
- Моментальный ток：100mA
- Частота：250MHz
- Основной номер части：BC847
- Конфигурация элемента：Single
- Распад мощности：330mW
- Применение транзистора：SWITCHING
- Без галогенов：Not Halogen Free
- Полярность/Тип канала：NPN
- Тип транзистора：NPN
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：600mV
- Максимальный ток сбора：100mA
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：420 @ 2mA 5V
- Ток - отсечка коллектора (макс)：15nA ICBO
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：600mV @ 5mA, 100mA
- Частота перехода：250MHz
- Максимальное напряжение разрушения：45V
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：50V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO)：6V
- Высота：1mm
- Длина：2.9mm
- Ширина：1.3mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Корпусировка на излучение：No
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
- Без свинца：Lead Free
Со склада 4898
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
