BC856A-7-F

Name: Diodes Incorporated BC856A-7-F
Brand: Diodes Incorporated
Rating: 4.7 (12 reviews)

Diodes Incorporated
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 350mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Date Sheet

Lagernummer 3000

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：19 Weeks
Покрытие контактов：Tin
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Количество контактов：3
Вес：7.994566mg
Материал элемента транзистора：SILICON
Диэлектрический пробой напряжение：65V
Количество элементов：1
Рабочая температура：-65°C~150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Опубликовано：2005
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Код ECCN：EAR99
Ток постоянного напряжения - номинальный：-65V
Максимальная потеря мощности：300mW
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Моментальный ток：-100mA
Частота：200MHz
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：40
Основной номер части：BC856A
Число контактов：3
Конфигурация элемента：Single
Распад мощности：350mW
Мощность - Макс：300mW
Применение транзистора：SWITCHING
Продуктивность полосы частот：200MHz
Полярность/Тип канала：PNP
Тип транзистора：PNP
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：65V
Максимальный ток сбора：100mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：125 @ 2mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)：15nA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：650mV @ 5mA, 100mA
Частота перехода：200MHz
Максимальное напряжение разрушения：65V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：80V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)：5V
Высота：1mm
Длина：3.05mm
Ширина：1.4mm
REACH SVHC：No SVHC
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 3000

Итого $0.00000