BCP53-16T1G

Name: ON Semiconductor BCP53-16T1G
Brand: ON Semiconductor
Rating: 4.5 (19 reviews)

ON Semiconductor
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные
TO-261-4, TO-261AA
TRANS PNP 80V 1.5A SOT-223
Date Sheet

Lagernummer 12800

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
Срок поставки от производителя：8 Weeks
Покрытие контактов：Tin
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：TO-261-4, TO-261AA
Поверхностный монтаж：YES
Количество контактов：4
Материал элемента транзистора：SILICON
Диэлектрический пробой напряжение：80V
Количество элементов：1
Минимальная частота работы в герцах：25
Рабочая температура：-65°C~150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Опубликовано：2008
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：4
Код ECCN：EAR99
Ток постоянного напряжения - номинальный：-80V
Максимальная потеря мощности：1.5W
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Моментальный ток：-1.5A
Частота：50MHz
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：40
Основной номер части：BCP53
Число контактов：4
Конфигурация элемента：Single
Распад мощности：1.5W
Сокетная связка：COLLECTOR
Применение транзистора：AMPLIFIER
Продуктивность полосы частот：50MHz
Полярность/Тип канала：PNP
Тип транзистора：PNP
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：80V
Максимальный ток сбора：1.5A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：100 @ 150mA 2V
Ток - отсечка коллектора (макс)：100nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：500mV @ 50mA, 500mA
Частота перехода：50MHz
Максимальное напряжение разрушения：80V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：100V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)：5V
Высота：1.57mm
Длина：6.5mm
Ширина：3.5mm
REACH SVHC：No SVHC
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 12800

Итого $0.00000