FZT600TA

Name: Diodes Incorporated FZT600TA
Brand: Diodes Incorporated
Rating: 4.6 (18 reviews)

Diodes Incorporated
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные
TO-261-4, TO-261AA
TRANS NPN DARL 140V 2A SOT223
Date Sheet

Lagernummer 827

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：12 Weeks
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：TO-261-4, TO-261AA
Количество контактов：3
Вес：7.994566mg
Материал элемента транзистора：SILICON
Диэлектрический пробой напряжение：140V
Количество элементов：1
Минимальная частота работы в герцах：2000
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Опубликовано：2006
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：4
Завершение：SMD/SMT
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn)
Ток постоянного напряжения - номинальный：140V
Максимальная потеря мощности：2W
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Моментальный ток：2A
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：40
Основной номер части：FZT600
Число контактов：4
Код JESD-30：R-PDSO-G4
Направленность：NPN
Конфигурация элемента：Single
Распад мощности：2W
Сокетная связка：COLLECTOR
Применение транзистора：SWITCHING
Тип транзистора：NPN - Darlington
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：140V
Максимальный ток сбора：2A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：2000 @ 500mA 10V
Ток - отсечка коллектора (макс)：10μA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：1.2V @ 10mA, 1A
Частота перехода：250MHz
Максимальное напряжение разрушения：140V
Частота - Переход：250MHz
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：160V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)：10V
Высота：1.65mm
Длина：6.55mm
Ширина：3.55mm
REACH SVHC：No SVHC
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 827

Итого $0.00000