(0)
Изображение служит лишь для справки
MJ11033G
-
ON Semiconductor
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные
- TO-204AE
- 50 A, 120 V PNP Darlington Bipolar Power Transistor
Date Sheet
Lagernummer 1591
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
- Срок поставки от производителя：5 Weeks
- Вид крепления：Through Hole
- Корпус / Кейс：TO-204AE
- Поверхностный монтаж：NO
- Количество контактов：2
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Диэлектрический пробой напряжение：120V
- Количество элементов：1
- Рабочая температура：-55°C~200°C TJ
- Пакетирование：Tray
- Опубликовано：2002
- Код JESD-609：e1
- Безоловая кодировка：yes
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：2
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
- Ток постоянного напряжения - номинальный：-120V
- Максимальная потеря мощности：300W
- Положение терминала：BOTTOM
- Форма вывода：PIN/PEG
- Температура пайки (пиковая) (°C)：260
- Моментальный ток：50A
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：40
- Число контактов：2
- Направленность：PNP
- Конфигурация элемента：Single
- Распад мощности：300W
- Сокетная связка：COLLECTOR
- Применение транзистора：AMPLIFIER
- Тип транзистора：PNP - Darlington
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：120V
- Максимальный ток сбора：50A
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：1000 @ 25A 5V
- Ток - отсечка коллектора (макс)：2mA
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：3.5V @ 500mA, 50A
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：120V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO)：5V
- Прямоходящий ток коллектора：50A
- Высота：8.51mm
- Длина：38.86mm
- Ширина：26.67mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Корпусировка на излучение：No
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
- Без свинца：Lead Free
Со склада 1591
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
