(0)
Изображение служит лишь для справки
SBCP53T1G
-
ON Semiconductor
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные
- TO-261-4, TO-261AA
- Trans GP BJT PNP 80V 1.5A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Date Sheet
Lagernummer 360000
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
- Срок поставки от производителя：8 Weeks
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：TO-261-4, TO-261AA
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество контактов：4
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Диэлектрический пробой напряжение：80V
- Максимальный коллекторный ток (Ic)：1.5A
- Количество элементов：1
- Рабочая температура：-65°C~150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Серия：Automotive, AEC-Q101
- Опубликовано：2008
- Код JESD-609：e3
- Безоловая кодировка：yes
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：4
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
- Максимальная потеря мощности：1.5W
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C)：260
- Частота：50MHz
- Основной номер части：BCP53
- Число контактов：4
- Конфигурация：SINGLE
- Распад мощности：1.5W
- Сокетная связка：COLLECTOR
- Применение транзистора：AMPLIFIER
- Полярность/Тип канала：PNP
- Тип транзистора：PNP
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：80V
- Максимальный ток сбора：1.5A
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：40 @ 150mA 2V
- Ток - отсечка коллектора (макс)：100nA ICBO
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：500mV @ 50mA, 500mA
- Частота перехода：50MHz
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：100V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO)：5V
- Корпусировка на излучение：No
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
- Без свинца：Lead Free
Со склада 360000
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
