2STF2360

Name: STMicroelectronics 2STF2360
Brand: STMicroelectronics
Rating: 5 (18 reviews)

STMicroelectronics
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные
TO-243AA
STMICROELECTRONICS 2STF2360Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 60 V, 130 MHz, 1.4 W, -3 A, 160
Date Sheet

Lagernummer 32700

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
Срок поставки от производителя：8 Weeks
Покрытие контактов：Tin
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：TO-243AA
Количество контактов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Диэлектрический пробой напряжение：60V
Максимальный коллекторный ток (Ic)：3A
Количество элементов：1
Минимальная частота работы в герцах：160
Рабочая температура：150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Код JESD-609：e3
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Завершение：SMD/SMT
Код ECCN：EAR99
Максимальная потеря мощности：1.4W
Форма вывода：FLAT
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Частота：130MHz
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：30
Основной номер части：2STF23
Число контактов：3
Конфигурация элемента：Single
Распад мощности：1.4W
Сокетная связка：COLLECTOR
Применение транзистора：SWITCHING
Продуктивность полосы частот：130MHz
Полярность/Тип канала：PNP
Тип транзистора：PNP
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：-60V
Максимальный ток сбора：-3A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：160 @ 1A 2V
Ток - отсечка коллектора (макс)：100nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：500mV @ 150mA, 3A
Частота перехода：130MHz
Максимальное напряжение разрушения：60V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：-60V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)：-6V
Максимальная температура перехода (Тj)：150°C
Высота：1.6mm
Длина：4.6mm
Ширина：2.6mm
REACH SVHC：No SVHC
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 32700

Итого $0.00000