
Изображение служит лишь для справки






MMBT4403WT1G
-
ON Semiconductor
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные
- SC-70, SOT-323
- Trans GP BJT PNP 40V 0.6A 3-Pin SC-70 T/R
Date Sheet
Lagernummer 50
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла:ACTIVE (Last Updated: 20 hours ago)
- Срок поставки от производителя:4 Weeks
- Покрытие контактов:Tin
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:SC-70, SOT-323
- Поверхностный монтаж:YES
- Количество контактов:3
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Диэлектрический пробой напряжение:40V
- Количество элементов:1
- Минимальная частота работы в герцах:30
- Рабочая температура:-55°C~150°C TJ
- Пакетирование:Tape & Reel (TR)
- Опубликовано:2005
- Код JESD-609:e3
- Безоловая кодировка:yes
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:3
- Код ECCN:EAR99
- Ток постоянного напряжения - номинальный:-40V
- Максимальная потеря мощности:150mW
- Положение терминала:DUAL
- Форма вывода:GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C):260
- Моментальный ток:-600mA
- Частота:200MHz
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):40
- Основной номер части:MMBT4403
- Число контактов:3
- Конфигурация элемента:Single
- Распад мощности:150mW
- Применение транзистора:SWITCHING
- Продуктивность полосы частот:200MHz
- Полярность/Тип канала:PNP
- Тип транзистора:PNP
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO):40V
- Максимальный ток сбора:600mA
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce:100 @ 150mA 2V
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic:750mV @ 50mA, 500mA
- Частота перехода:200MHz
- Максимальное напряжение разрушения:40V
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО):40V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO):5V
- Время выключения максимальное (toff):255ns
- Корпусировка на излучение:No
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
- Без свинца:Lead Free
Со склада 50
Итого $0.00000