(0)
Изображение служит лишь для справки
NSV1C201MZ4T1G
-
ON Semiconductor
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные
- TO-261-4, TO-261AA
- Trans GP BJT NPN 100V 2A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Date Sheet
Lagernummer 20000
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
- Срок поставки от производителя：7 Weeks
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：TO-261-4, TO-261AA
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество контактов：4
- Вес：250.212891mg
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Диэлектрический пробой напряжение：100V
- Количество элементов：1
- Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Опубликовано：2013
- Код JESD-609：e3
- Безоловая кодировка：yes
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：4
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
- Максимальная потеря мощности：800mW
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：GULL WING
- Частота：100MHz
- Число контактов：4
- Конфигурация элемента：Single
- Распад мощности：2W
- Сокетная связка：COLLECTOR
- Применение транзистора：SWITCHING
- Без галогенов：Halogen Free
- Продуктивность полосы частот：100MHz
- Полярность/Тип канала：NPN
- Тип транзистора：NPN
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：100V
- Максимальный ток сбора：2A
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：120 @ 500mA 2V
- Ток - отсечка коллектора (макс)：100nA ICBO
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：180mV @ 200mA, 2A
- Частота перехода：100MHz
- Максимальное напряжение разрушения：100V
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：140V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO)：7V
- Прямоходящий ток коллектора：2A
- Корпусировка на излучение：No
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
- Без свинца：Lead Free
Со склада 20000
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
