BF721T1G

Name: ON Semiconductor BF721T1G
Brand: ON Semiconductor
Rating: 4.6 (6 reviews)

ON Semiconductor
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные
TO-261-4, TO-261AA
Trans GP BJT PNP 300V 0.05A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Date Sheet

Lagernummer 609

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Срок поставки от производителя：2 Weeks
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：TO-261-4, TO-261AA
Поверхностный монтаж：YES
Количество контактов：4
Материал элемента транзистора：SILICON
Диэлектрический пробой напряжение：300V
Количество элементов：1
Минимальная частота работы в герцах：50
Рабочая температура：-65°C~150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Опубликовано：2007
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：4
Завершение：SMD/SMT
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
Ток постоянного напряжения - номинальный：-300V
Максимальная потеря мощности：1.5W
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Моментальный ток：-100mA
Частота：60MHz
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：40
Основной номер части：BF721
Число контактов：4
Конфигурация элемента：Single
Распад мощности：1.5W
Сокетная связка：COLLECTOR
Продуктивность полосы частот：60MHz
Полярность/Тип канала：PNP
Тип транзистора：PNP
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：300V
Максимальный ток сбора：50mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：50 @ 25mA 20V
Ток - отсечка коллектора (макс)：10nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：800mV @ 5mA, 30mA
Частота перехода：60MHz
Максимальное напряжение разрушения：300V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：300V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)：5V
Высота：1.75mm
Длина：6.7mm
Ширина：3.7mm
REACH SVHC：No SVHC
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 609

Итого $0.00000