(0)
Изображение служит лишь для справки
PZTA28
-
ON Semiconductor
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные
- TO-261-4, TO-261AA
- TRANS NPN DARL 80V 0.8A SOT223
Date Sheet
Lagernummer 38321
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：21 Weeks
- Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
- Корпус / Кейс：TO-261-4, TO-261AA
- Вид крепления：Surface Mount
- Монтаж：Surface Mount
- Количество контактов：3
- Вес：188mg
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Минимальная частота работы в герцах：10000
- Количество элементов：1
- Диэлектрический пробой напряжение：80V
- Опубликовано：2001
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
- Код JESD-609：e3
- Безоловая кодировка：yes
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：4
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
- Ток постоянного напряжения - номинальный：80V
- Максимальная потеря мощности：1W
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：GULL WING
- Моментальный ток：800mA
- Основной номер части：PZTA28
- Код JESD-30：R-PDSO-G4
- Направленность：NPN
- Конфигурация элемента：Single
- Сокетная связка：COLLECTOR
- Тип транзистора：NPN - Darlington
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：80V
- Максимальный ток сбора：800mA
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：10000 @ 100mA 5V
- Ток - отсечка коллектора (макс)：500nA
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：1.5V @ 100μA, 100mA
- Частота перехода：125MHz
- Максимальное напряжение разрушения：80V
- Частота - Переход：125MHz
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：80V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO)：12V
- Ширина：3.56mm
- Длина：6.5mm
- Высота：1.6mm
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
- Корпусировка на излучение：No
- Без свинца：Lead Free
Со склада 38321
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
