DZT5551-13

Name: Diodes Incorporated DZT5551-13
Brand: Diodes Incorporated
Rating: 4.9 (20 reviews)

Diodes Incorporated
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные
TO-261-4, TO-261AA
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Date Sheet

Lagernummer 82500

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：19 Weeks
Покрытие контактов：Tin
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：TO-261-4, TO-261AA
Количество контактов：4
Вес：7.994566mg
Материал элемента транзистора：SILICON
Диэлектрический пробой напряжение：200V
Количество элементов：1
Минимальная частота работы в герцах：80
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Опубликовано：2007
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：4
Код ECCN：EAR99
Максимальная потеря мощности：1W
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Частота：300MHz
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：40
Основной номер части：DZT5551
Число контактов：4
Конфигурация элемента：Single
Распад мощности：2W
Сокетная связка：COLLECTOR
Применение транзистора：SWITCHING
Продуктивность полосы частот：300MHz
Полярность/Тип канала：NPN
Тип транзистора：NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：160V
Максимальный ток сбора：600mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：80 @ 10mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)：50nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：200mV @ 5mA, 50mA
Частота перехода：100MHz
Максимальное напряжение разрушения：160V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：180V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)：6V
Максимальная температура перехода (Тj)：150°C
Высота：1.8mm
Длина：6.7mm
Ширина：3.7mm
REACH SVHC：No SVHC
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 82500

Итого $0.00000