MMBTA64LT1G

Name: ON Semiconductor MMBTA64LT1G
Brand: ON Semiconductor
Rating: 4.9 (12 reviews)

ON Semiconductor
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TRANS PNP DARL 30V 0.5A SOT23
Date Sheet

Lagernummer 36000

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
Срок поставки от производителя：11 Weeks
Покрытие контактов：Tin
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Поверхностный монтаж：YES
Количество контактов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Диэлектрический пробой напряжение：30V
Количество элементов：1
Минимальная частота работы в герцах：10000
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Опубликовано：1998
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Код ECCN：EAR99
Ток постоянного напряжения - номинальный：-30V
Максимальная потеря мощности：225mW
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Моментальный ток：-500mA
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：40
Основной номер части：MMBTA64
Число контактов：3
Направленность：PNP
Конфигурация элемента：Single
Распад мощности：225mW
Без галогенов：Halogen Free
Тип транзистора：PNP - Darlington
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：30V
Максимальный ток сбора：500mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：20000 @ 100mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)：100nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：1.5V @ 100μA, 100mA
Частота перехода：125MHz
Максимальное напряжение разрушения：30V
Частота - Переход：125MHz
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：30V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)：10V
Прямоходящий ток коллектора：-500mA
Высота：1.01mm
Длина：3.04mm
Ширина：1.4mm
REACH SVHC：No SVHC
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 36000

Итого $0.00000