MMBTA13-7-F

Name: Diodes Incorporated MMBTA13-7-F
Brand: Diodes Incorporated
Rating: 4.9 (7 reviews)

Diodes Incorporated
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TRANS NPN DARL 30V 0.3A SOT23-3
Date Sheet

Lagernummer 476

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：19 Weeks
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Количество контактов：3
Вес：7.994566mg
Материал элемента транзистора：SILICON
Диэлектрический пробой напряжение：30V
Количество элементов：1
Минимальная частота работы в герцах：5000
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Серия：Automotive, AEC-Q101
Опубликовано：2008
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn)
Дополнительная Характеристика：HIGH RELIABILITY
Ток постоянного напряжения - номинальный：30V
Максимальная потеря мощности：300mW
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Моментальный ток：100mA
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：40
Основной номер части：MMBTA13
Число контактов：3
Направленность：NPN
Конфигурация элемента：Single
Мощность - Макс：300mW
Применение транзистора：SWITCHING
Тип транзистора：NPN - Darlington
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：30V
Максимальный ток сбора：300mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：10000 @ 100mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)：100nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：1.5V @ 100μA, 100mA
Частота перехода：125MHz
Максимальное напряжение разрушения：30V
Частота - Переход：125MHz
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：30V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)：10V
Высота：1mm
Длина：3.05mm
Ширина：1.4mm
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 476

Итого $0.00000