BC559BTA

Name: ON Semiconductor BC559BTA
Brand: ON Semiconductor
Rating: 5 (16 reviews)

ON Semiconductor
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 3-Pin TO-92 Ammo
Date Sheet

Lagernummer 6630

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：7 Weeks
Покрытие контактов：Tin
Монтаж：Through Hole
Вид крепления：Through Hole
Корпус / Кейс：TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Количество контактов：3
Вес：240mg
Материал элемента транзистора：SILICON
Диэлектрический пробой напряжение：30V
Количество элементов：1
Минимальная частота работы в герцах：110
Рабочая температура：150°C TJ
Пакетирование：Tape & Box (TB)
Опубликовано：2007
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Код ECCN：EAR99
Дополнительная Характеристика：LOW NOISE
Ток постоянного напряжения - номинальный：-30V
Максимальная потеря мощности：500mW
Положение терминала：BOTTOM
Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
Моментальный ток：-100mA
Частота：150MHz
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
Основной номер части：BC559
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация элемента：Single
Распад мощности：500mW
Применение транзистора：SWITCHING
Продуктивность полосы частот：150MHz
Полярность/Тип канала：PNP
Тип транзистора：PNP
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：30V
Максимальный ток сбора：100mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：200 @ 2mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)：15nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：650mV @ 5mA, 100mA
Частота перехода：150MHz
Максимальное напряжение разрушения：30V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：-30V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)：-5V
Высота：5.33mm
Длина：5.2mm
Ширина：4.19mm
REACH SVHC：No SVHC
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 6630

Итого $0.00000