MMBT100

Name: ON Semiconductor MMBT100
Brand: ON Semiconductor
Rating: 4.9 (17 reviews)

ON Semiconductor
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R
Date Sheet

Lagernummer 928572

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 15 hours ago)
Срок поставки от производителя：39 Weeks
Покрытие контактов：Tin
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Количество контактов：3
Вес：30mg
Материал элемента транзистора：SILICON
Диэлектрический пробой напряжение：45V
Количество элементов：1
Минимальная частота работы в герцах：100
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Опубликовано：2008
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Код ECCN：EAR99
Ток постоянного напряжения - номинальный：45V
Максимальная потеря мощности：350mW
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：GULL WING
Моментальный ток：500mA
Частота：250MHz
Основной номер части：MMBT100
Конфигурация элемента：Single
Распад мощности：350mW
Применение транзистора：AMPLIFIER
Продуктивность полосы частот：250MHz
Полярность/Тип канала：NPN
Тип транзистора：NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：45V
Максимальный ток сбора：500mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：100 @ 150mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)：50nA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：400mV @ 20mA, 200mA
Частота перехода：250MHz
Максимальное напряжение разрушения：45V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：75V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)：6V
Максимальное напряжение на выходе：0.2 V
Сопротивление базы-эмиттора макс：4.5pF
Высота：970μm
Длина：2.9mm
Ширина：1.3mm
REACH SVHC：No SVHC
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 928572

Итого $0.00000