BSV52LT1G

Name: ON Semiconductor BSV52LT1G
Brand: ON Semiconductor
Rating: 4.7 (11 reviews)

ON Semiconductor
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TRANS NPN 12V 0.1A SOT-23
Date Sheet

Lagernummer 830

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Срок поставки от производителя：4 Weeks
Покрытие контактов：Tin
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Поверхностный монтаж：YES
Количество контактов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Диэлектрический пробой напряжение：12V
Количество элементов：1
Минимальная частота работы в герцах：25
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Опубликовано：2006
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Код ECCN：EAR99
Ток постоянного напряжения - номинальный：12V
Максимальная потеря мощности：225mW
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Моментальный ток：200mA
Частота：400MHz
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：40
Основной номер части：BSV52
Число контактов：3
Конфигурация элемента：Single
Распад мощности：300mW
Мощность - Макс：225mW
Применение транзистора：SWITCHING
Продуктивность полосы частот：400MHz
Полярность/Тип канала：NPN
Тип транзистора：NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：12V
Максимальный ток сбора：100mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：40 @ 10mA 1V
Ток - отсечка коллектора (макс)：100nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：400mV @ 5mA, 50mA
Частота перехода：400MHz
Максимальное напряжение разрушения：12V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：20V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)：1.2V
Высота：1.01mm
Длина：3.04mm
Ширина：1.4mm
REACH SVHC：No SVHC
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 830

Итого $0.00000