BCW65CLT1G

Name: ON Semiconductor BCW65CLT1G
Brand: ON Semiconductor
Rating: 4.8 (8 reviews)

ON Semiconductor
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TRANS NPN 32V 0.8A SOT-23
Date Sheet

Lagernummer 2737

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Срок поставки от производителя：2 Weeks
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Поверхностный монтаж：YES
Количество контактов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Диэлектрический пробой напряжение：32V
Количество элементов：1
Минимальная частота работы в герцах：80
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Опубликовано：2005
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
Ток постоянного напряжения - номинальный：32V
Максимальная потеря мощности：225mW
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Моментальный ток：800mA
Частота：100MHz
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：40
Основной номер части：BCW65
Число контактов：3
Конфигурация элемента：Single
Распад мощности：300mW
Продуктивность полосы частот：100MHz
Полярность/Тип канала：NPN
Тип транзистора：NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：32V
Максимальный ток сбора：800mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：250 @ 100mA 1V
Ток - отсечка коллектора (макс)：20nA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：700mV @ 50mA, 500mA
Частота перехода：100MHz
Максимальное напряжение разрушения：32V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：60V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)：5V
Время выключения максимальное (toff)：400ns
Высота：1.11mm
Длина：3.04mm
Ширина：1.4mm
REACH SVHC：No SVHC
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 2737

Итого $0.00000