Изображение служит лишь для справки

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы
  • Поверхностный монтаж:YES
  • Материал диодного элемента:SILICON
  • Количество терминалов:2
  • Ранг риска:5.86
  • Пороговая напряжённость-номинал:22 V
  • Производитель IHS:TOSHIBA CORP
  • Код цикла жизни компонента:Obsolete
  • Количество элементов:1
  • Производитель:Toshiba America Electronic Components
  • Форма упаковки:RECTANGULAR
  • Максимальная мощность рассеяния:1 W
  • Артикул Производителя:U1ZB22TE12R
  • Рохс Код:No
  • Температура работы-Макс:150 °C
  • Максимальная температура рефлоу:NOT SPECIFIED
  • Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
  • Форма упаковки:SMALL OUTLINE
  • Описание пакета:R-PDSO-C2
  • Безоловая кодировка:No
  • Код ECCN:EAR99
  • Код ТН ВЭД:8541.10.00.50
  • Технология:AVALANCHE
  • Положение терминала:DUAL
  • Форма вывода:C BEND
  • Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
  • Код соответствия REACH:unknown
  • Код JESD-30:R-PDSO-C2
  • Квалификационный Статус:Not Qualified
  • Направленность:UNIDIRECTIONAL
  • Конфигурация:SINGLE
  • Тип диода:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
  • Максимальный обратный ток:10 µA
  • Минимальная напряжение разрушения:19.8 V
  • Максимальная напряжённость разрушения:24.2 V

Со склада 0

Итого $0.00000