Изображение служит лишь для справки
2SA1943N(S1,E,S)
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные
- TO-3P-3, SC-65-3
- Trans GP BJT PNP 230V 15A 3-Pin TO-3P(N)
- Date Sheet
Lagernummer 147
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:12 Weeks
- Монтаж:Through Hole
- Вид крепления:Through Hole
- Корпус / Кейс:TO-3P-3, SC-65-3
- Поставщик упаковки устройства:TO-3P(N)
- Вес:6.961991g
- Диэлектрический пробой напряжение:230V
- Максимальный коллекторный ток (Ic):15A
- Минимальная частота работы в герцах:35
- Рабочая температура:150°C TJ
- Пакетирование:Tube
- Опубликовано:2005
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):Not Applicable
- Максимальная рабочая температура:150°C
- Минимальная температура работы:-55°C
- Максимальная потеря мощности:150W
- Направленность:PNP
- Конфигурация элемента:Single
- Мощность - Макс:150W
- Продуктивность полосы частот:30MHz
- Тип транзистора:PNP
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO):3V
- Максимальный ток сбора:15A
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce:80 @ 1A 5V
- Ток - отсечка коллектора (макс):5μA ICBO
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic:3V @ 800mA, 8A
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.):230V
- Частота - Переход:30MHz
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО):-230V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO):-5V
- Прямоходящий ток коллектора:-15A
- Состояние RoHS:RoHS Compliant
Со склада 147
Итого $0.00000