Изображение служит лишь для справки
FJP13009H2TU
- ON Semiconductor
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные
- TO-220-3
- TRANS NPN 400V 12A TO-220
- Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла:ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
- Срок поставки от производителя:8 Weeks
- Монтаж:Through Hole
- Вид крепления:Through Hole
- Корпус / Кейс:TO-220-3
- Количество контактов:3
- Вес:1.8g
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Диэлектрический пробой напряжение:400V
- Количество элементов:1
- Минимальная частота работы в герцах:6
- Рабочая температура:150°C TJ
- Пакетирование:Tube
- Опубликовано:2017
- Код JESD-609:e3
- Безоловая кодировка:yes
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:3
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:Tin (Sn)
- Ток постоянного напряжения - номинальный:400V
- Максимальная потеря мощности:100W
- Моментальный ток:12A
- Частота:4MHz
- Основной номер части:FJP13009
- Конфигурация элемента:Single
- Распад мощности:100W
- Применение транзистора:SWITCHING
- Продуктивность полосы частот:4MHz
- Полярность/Тип канала:NPN
- Тип транзистора:NPN
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO):400V
- Максимальный ток сбора:12A
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce:15 @ 5A 5V
- Код JEDEC-95:TO-220AB
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic:3V @ 3A, 12A
- Частота перехода:4MHz
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО):700V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO):9V
- Высота:9.2mm
- Длина:9.9mm
- Ширина:4.5mm
- REACH SVHC:No SVHC
- Корпусировка на излучение:No
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
- Без свинца:Lead Free
Со склада 0
Итого $0.00000