MJE2955TG

Name: ON Semiconductor MJE2955TG
Brand: ON Semiconductor
Rating: 5 (13 reviews)

ON Semiconductor
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные
TO-220-3
Trans GP BJT PNP 60V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
Date Sheet

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
Срок поставки от производителя：2 Weeks
Покрытие контактов：Tin
Вид крепления：Through Hole
Корпус / Кейс：TO-220-3
Поверхностный монтаж：NO
Количество контактов：3
Вес：4.535924g
Материал элемента транзистора：SILICON
Диэлектрический пробой напряжение：60V
Количество элементов：1
Минимальная частота работы в герцах：20
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tube
Опубликовано：2003
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Код ECCN：EAR99
Ток постоянного напряжения - номинальный：-60V
Максимальная потеря мощности：75W
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Моментальный ток：-10A
Частота：2MHz
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：40
Основной номер части：MJE2955
Число контактов：3
Конфигурация элемента：Single
Распад мощности：75W
Сокетная связка：COLLECTOR
Применение транзистора：SWITCHING
Продуктивность полосы частот：2MHz
Полярность/Тип канала：PNP
Тип транзистора：PNP
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：60V
Максимальный ток сбора：10A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：20 @ 4A 4V
Ток - отсечка коллектора (макс)：700μA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：8V @ 3.3A, 10A
Частота перехода：2MHz
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：70V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)：5V
Высота：9.28mm
Длина：10.28mm
Ширина：4.82mm
REACH SVHC：No SVHC
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 0

Итого $0.00000